GaInNAs相关论文
本文通过对1.3μmGaInNAs/GaAs VCSEL结构优化,采用直接接触结构研制出了特性得到改善的1.3μmGaInNAs/GaAs VCSEL.激光器室温下的......
在研究新型高效GaAs基三结和四结太阳电池过程中，研究者努力寻找一种既满足能隙约为1eV，同时又与GaAs衬底晶格匹配的半导体材料。通......
ＧａＩｎＮＡｓ是一种直接带隙半导体材料，在长彼长（１．３０和 １．５５μｍ）光通信系统 中具有广阔的应用前景．通过调节 Ｉｎ和 Ｎ的组分，既可获得应变 ＧａＩｎＮＡｓ外延材料，也可制 备ＧａＩｎＮＡｓ与ＧａＡｓ匹......
研究了离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的 Ga NAs/ Ga As和 Ga In NAs/ Ga As量子阱的影响 .研究表明离子损伤是影响 Ga NAs......
采用MBE生长In0 .3 Ga0 .7As/GaAs和GaInNAs/GaAs量子阱为有源区的器件结构材料 ,制备出工作在10 60nm及 1310nm波段的谐振腔增强......
提出了Ga1-xInxNyAs1-y材料中组分比为整数且x∶y≥4时,直接生长和完全退火后各二元化合键平均键长的统计模型。该模型首先计算特......
本文以晶格匹配多结叠层聚光电池和晶格应变多结叠层聚光电池为例,介绍了以直接带隙Ⅲ-Ⅴ族材料为主体的多结叠层聚光太阳能电池的......
该论文的研究内容不仅包括目前应用广泛的GaAs、AlGaAs、InGaAs和AlGaInP材料的MOCVD生长,并且,为了拓展GaAs基材料的应用范围,对......
该论文采用分子束外延方法生长了GaNAs和GaInNAs材料,并对其晶体质量和光学性质进行了研究....
信息时代的发展离不开高速、大容量的通讯网络,从而对光纤通讯的发展提出了更高的要求.在光纤通讯的研究中,发光波长在1.3-1.55μm......
采用近似方法对GaInNAs材料的能带结构进行了分析,并计算了应变GaInNAs/GaAs量子阱能级,在此基础上进一步计算了应变GaInNAs/GaAs......
新出现的直接跃迁GaInNAs与具有高反射率的AlAs/GaAs分布布拉格反射镜相结合构成了GaAs基长波长(1.3～1.6μm)垂直腔面发射激光器(VC......
Effects of Rapid Thermal Annealing on Optical Properties of GaInNAs/GaAs Single Quantum Well Grown b
The effects of Rapid Thermal Annealing (RTA) on the optical properties of GaInNAs/GaAs Single Quantum Well (SQW) grown b......
日立公司早在1995年就提出活性层使用GaInNAs的想法．此次成果确立了适于GaInNAs结晶成长的新技术．由此实现了在40Gbps下稳定工作的目......
采用近似方法对GaInNAs材料的能带结构进行了分析,并计算了应变GaInNAs/GaAs量子阱能级,在此基础上进一步计算了应变GaInNAs/GaAs......
采用近似方法对GaInNAs材料的能带结构进行了分析,并计算了应变GaInNAs/GaAs量子阱能级,在此基础上进一步计算了应变GaInNAs/GaAs......
介绍了新型GaInNAs系低功耗异质结双极晶体管（HBT）的设计思想和最新研究进展，并展望了其在低功耗高速集成电路和长波长光电集成电路方......
介绍了新型GaInNAs系低功耗异质结双极晶体管（HBT）的设计思想和最新研究进展，并展望了其在低功耗高速集成电路和长波长光电集成电路方......
对新型长波长半导体材料GaInNAs进行了述评.通过材料性质的介绍,表明GaInNA s材料是一种很有前景的长波长半导体材料.同时介绍了目......
对新型长波长半导体材料GaInNAs进行了述评.通过材料性质的介绍,表明GaInNA s材料是一种很有前景的长波长半导体材料.同时介绍了目......
4 Ⅲ-Ⅴ族化合物电池研发的新动向 4．1含GalnNAs（Sb）晶格匹配的三～五结叠层聚光电池 前文介绍在研发与GaAs晶格匹配的1eV带隙的GaInNAs......
Effects of Growth Conditions on Optical Properties ofGa In NAs/Ga As Quantum Well Grown by Molecular
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分析了MBE生长的GaInNAs/GaAs单量子阱样品的光致荧光谱(PL),细致地研究了在弱激发功率下GaInNAs/GaAs样品的发光峰位的S-型反常温......
分析了MBE生长的GaInNAs/GaAs单量子阱样品的光致荧光谱(PL),细致地研究了在弱激发功率下GaInNAs/GaAs样品的发光峰位的S-型反常温......
采用MBE生长In0.3Ga0.7As/GaAs和GaInNAs/GaAs量子阱为有源区的器件结构材料,制备出工作在1060 nm及1310 nm波段的谐振腔增强型光......
1997年Olson等提出采用Ga1-xInxN1-yAsy四元系材料来研制第三结子电池,因为这是化合物半导体材料中,唯一一种可通过调节x、y值（Ga0.......
ＧｓＩｎＮＡｓ是一种直接带隙半导体材料，在长波长（１．３０和１．５５μｍ）光通信系统中具有广阔的应用前景。通过调节Ｉｎ和Ｎ的组分，既可获得应变ＧａＩｎＮＡｓ外延材料，也可制备ＧａＩｎＮＡｓ与ＧａＡｓ匹配的......
ＧｓＩｎＮＡｓ是一种直接带隙半导体材料，在长波长（１．３０和１．５５μｍ）光通信系统中具有广阔的应用前景。通过调节Ｉｎ和Ｎ的组分，既可获得应变ＧａＩｎＮＡｓ外延材料，也可制备ＧａＩｎＮＡｓ与ＧａＡｓ匹配的......
本文较为系统的介绍了GaInNAs应变量子阱材料在光增益、输出波长以及对温度的敏感性等方面的特性,并从理论上对其形成机制作了初步......
本文较为系统的介绍了GaInNAs应变量子阱材料的光增益、输出波长、对温度的敏感性等特性，并从理论上对其形成机制作了初步的探讨，对......
